• Ototekno

GaN Charger, Efisien dan Mengisi Daya Lebih Cepat dan Aman

Akhyar Zein | Jum'at, 21/10/2022 20:01 WIB
GaN Charger, Efisien dan Mengisi Daya Lebih Cepat dan Aman GaN charger (foto: aptophia.com)

JAKARTA - Untuk memastikan perangkat mereka tetap aktif, power bank memang tidak diragukan lagi sangat membantu pengguna gadget.

Tetapi power bank masih tak luput dari keluhan penggunanya; mulai dari pengisian daya yang memakan waktu lama hingga timbulnya panas berlebih yang membuat pengguna ragu akan keamanan pemakaian power bank.

Hal ini pula yang tentunya menjadi dorongan bagi jenama untuk terus berinovasi menghadirkan produk yang lebih berkualitas lagi.

Yang terbaru adalah charger yang menawarkan teknologi Galium Nitrida (GaN).  Dahulu kebanyakan power bank menggunakan bahan silikon pada bagian mesinnya. Namun, kini itu dapat digantikan oleh Galium Nitrida (GaN), sebuah material baru yang menggantikan bahan silikon klasik dalam elektronik, seperti dikutip dari siaran resmi InfinityLab, Jumat.

Silikon merupakan konduktor listrik yang baik tetapi diklaim tidak secepat dan seefisien GaN.

Karena GaN jauh lebih efektif daripada silikon, charger juga kini dapat berukuran jauh lebih kecil dan lebih efisien karena sedikit energi yang hilang karena panas.

Meskipun produk GaN charger yang pertama baru diperkenalkan sejak 2020, GaN charger terbukti lebih efisien dan memudahkan pengguna mengisi daya dengan lebih cepat dan aman. Sebelumnya, GaN juga telah digunakan di industri Aerospace EV, dan 5G.

Selain dapat mengisi daya hingga tiga kali lebih cepat dari charger biasa, GaN juga juga memberikan pengalaman mengisi daya yang lebih aman. GaN merupakan bahan semikonduktor yang memiliki banyak keunggulan dibandingkan silikon karena merupakan penghantar listrik yang lebih baik dan kuat menghadapi daya yang lebih tinggi tanpa menimbulkan panas yang berlebih.

GaN juga dapat menampung daya yang lebih tinggi dan mengisi daya lebih cepat daripada silikon, sehingga cocok untuk dipasangkan pada perangkat daya fast-charging.